Samsung mostra o primeiro módulo de 16 GB DDR4

A Samsung Electronics  apresentou o primeiro módulo de memória com uma capacidade de 16 GB Double Data Rate-4 (DDR4) projetado para uso emservidores corporativos. 

Feita a partir de um processo de fabricação de 30 nm, o módulo DDR4 de alta densidade da Samsung consome aproximadamente 40% menos de energia em relação a um módulo de memória DDR3-1600 MHz@1.35V. 

A Samsung seguirá trabalhando na conclusão JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council)  e a padronização de tecnologias e especificações de produtosDDR4, que deverão ter lugar em Agosto. 

A empresa também disse que vai estreitar os laços com seus clientes, incluindo fabricantes OEMs, assim como responsáveis ??por CPUs  e controladores para ampliar a base de mercado para seus módulos de alta densidade DDR4, ao qualplanejam uma produção em massa no próximo ano. 

Espera-se também uma expansão do mercado de memória global, alcançando produtos de memórias DRAM DDR4 @ 20 nm que estará disponível no próximo ano, em densidades de até 32 GB. 

Com este anúncio a Samsung continua a liderar o desenvolvimento da tecnologiaDRAM desde o desenvolvimento da primeira DDR DRAM da indústria em 1997. Em2001 introduziu a primeira memória DRAM DDR2, e em 2005, anunciou as primeirasDDR3 @ 80 nm.